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一种半导体器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110255140.X
  • IPC分类号:H01L29/16;H01L29/78
  • 申请日期:
    2011-08-31
  • 申请人:
    宫宁
著录项信息
专利名称一种半导体器件
申请号CN201110255140.X申请日期2011-08-31
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2013-03-06公开/公告号CN102956688A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/16IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;1;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人宫宁申请人地址
山西省朔州市山西省怀仁县天合西街北二巷15号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宫宁当前权利人宫宁
发明人宫宁
代理机构太原同圆知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人王金锁
摘要
一种半导体器件,包括:一个基片,在基片上设有一个门,在接近门间隔物的基片之中形成的一个源/漏区,其中源/漏区包括第一及第二外延层,其中在第一外延层和基片之间在一个间层上形成的第二外延层比第一外延层的具有一个更高锗浓度。其中基片包括一个硅衬底。本发明就是通过将压力施加到一个门下面形成的一个沟道区来改进电流,以增加一个载体的可动性,用于克服现有技术存在强电流驾驶性能差的问题,可有效增加载体的可动性能。

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