Al系Ⅲ－V族化合物半导体的气相生长方法、Al系Ⅲ－V族化合物半导体的制造方法与制造装置

发明专利有效专利

申请号：
CN03808002.8
IPC分类号：H01L21/205;C30B23/02;C30B25/14;C30B29/38;C30B29/40;C23C16/34
申请日期：
2003-04-07
申请人：
农工大TLO株式会社(日本东京)

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专利名称	Al系Ⅲ－V族化合物半导体的气相生长方法、Al系Ⅲ－V族化合物半导体的制造方法与制造装置
申请号	CN03808002.8	申请日期	2003-04-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-07-27	公开/公告号	CN1647251
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/205 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕 H01L21/205 应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;C;3;0;B;2;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;5;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;3;8;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人	农工大TLO株式会社(日本东京)	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	农工大TLO株式会社(日本东京)	当前权利人	农工大TLO株式会社(日本东京)
发明人	纐缬明伯;熊谷义直;丸井智敬
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	郭煜;庞立志

摘要

在采用以往的HVPE法使含Al的Ⅲ-V族化合物半导体结晶生长的场合，为了抑制与石英反应的氯化铝(AlCl)、溴化铝(AlBr)的产生，故在采用气相外延生长法使含Ⅲ族AⅢ-V族化合物半导体结晶生长的方法中，在700℃以下的温度下使Al与卤化氢反应。结果，抑制与反应器的石英激烈进行反应的氯化铝(AlCl)、溴化铝(AlBr)的产生。因此100微米/小时以上速度的Al系Ⅲ-V族化合物半导体气相生长成为可能，可批量生产衬底或耐恶劣环境半导体。即，通过在700℃以下的温度下使Al与卤化氢反应解决了上述课题。

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