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LED芯片的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201711457170.2
  • IPC分类号:H01L33/14;H01L33/00
  • 申请日期:
    2017-12-28
  • 申请人:
    聚灿光电科技股份有限公司
著录项信息
专利名称LED芯片的制备方法
申请号CN201711457170.2申请日期2017-12-28
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2018-06-19公开/公告号CN108183153A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/14IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人聚灿光电科技股份有限公司申请人地址
江苏省苏州市工业园区月亮湾路15号中新大厦32楼01-05室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人聚灿光电科技股份有限公司当前权利人聚灿光电科技股份有限公司
发明人李庆;陈立人;余长治
代理机构苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)代理人杨林洁
摘要
本发明公开了一种LED芯片的制备方法,所述方法包括:提供一衬底;在衬底上依次外延生长N型半导体层、发光层及P型半导体层形成LED晶圆;在P型半导体层上依次沉积SiO2层和Al2O3层以形成电流阻挡层;在电流阻挡层上制备透明导电层;对透明导电层进行ITO刻蚀,过腐蚀后保留光刻胶并进行光刻胶后烘,使得光刻胶完全覆盖透明导电层;制作P电极和N电极。与现有技术相比,本发明在LED晶圆上先SiO2沉积后再沉积Al2O3,可以实现电流阻挡层的总厚度在1000‑3000Α左右,在实现保护P型半导体层不受损害的目的的同时,还可以降低掉电极的风险。

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