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光存储防伪元件、制造方法、应用以及用于制造过程的光学元件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210303520.0
  • IPC分类号:B42D25/29;B42D25/30;B42D25/36;B42D25/378;G02B27/10
  • 申请日期:
    2012-08-23
  • 申请人:
    中国人民银行印制科学技术研究所;中国印钞造币总公司
著录项信息
专利名称光存储防伪元件、制造方法、应用以及用于制造过程的光学元件
申请号CN201210303520.0申请日期2012-08-23
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2014-03-12公开/公告号CN103625153A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B42D25/29IPC分类号B;4;2;D;2;5;/;2;9;;;B;4;2;D;2;5;/;3;0;;;B;4;2;D;2;5;/;3;6;;;B;4;2;D;2;5;/;3;7;8;;;G;0;2;B;2;7;/;1;0查看分类表>
申请人中国人民银行印制科学技术研究所;中国印钞造币总公司申请人地址
北京市丰台区丰台科学城中核路5号2号楼8层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国印钞造币总公司,中钞印制技术研究院有限公司当前权利人中国印钞造币总公司,中钞印制技术研究院有限公司
发明人曹瑜;黄小义;李晓伟;李万里;李新宇;王景明
代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司代理人张建纲
摘要
本发明涉及光学领域,提供一种光存储防伪元件,至少包括图案层,图案层具有偶氮聚合物,偶氮聚合物至少包含一种偶氮苯生色团,图案层的上表面具有连续或者不连续的凹凸结构,在凹凸结构内写入可擦除、可读写改变、可机读识别的光学信息。本发明的光存储防伪元件具有较高的防伪可靠性。

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