硅反外延片的制造方法及其专用设备

发明专利有效专利

申请号：
CN200810019867.6
IPC分类号：C30B29/06;C30B25/02
申请日期：
2008-03-19
申请人：
南京国盛电子有限公司

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著录项信息

专利名称	硅反外延片的制造方法及其专用设备
申请号	CN200810019867.6	申请日期	2008-03-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-11-26	公开/公告号	CN101311340
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2查看分类表>
申请人	南京国盛电子有限公司	申请人地址	江苏省南京市经济技术开发区兴文路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京国盛电子有限公司	当前权利人	南京国盛电子有限公司
发明人	马林宝
代理机构	南京知识律师事务所	代理人	张苏沛

摘要

本发明公开了一种硅反外延片的制造方法，首先设计和制造了硅反外延片专用的反外延设备，采用了外延层掺杂用液相掺杂技术，建立了适合硅反外延片的外延工艺条件。所述外延层掺杂用液相掺杂技术，在SiHCL3料源中加入PCl3，混合的比例以能达到外延层电阻率的要求为宜，1Kg SiHCL3加入5ml PCl3。选择合适的工艺条件：气腐温度1190℃，气腐流量20L/min，生长温度1180℃，生长速率5μm/min，保证外延片表面的平整度和外延层的晶格完整性，保证外延层掺杂浓度。

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