一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110197020.2
IPC分类号：H01L33/14;H01L33/00
申请日期：
2021-02-22
申请人：
江苏大学

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专利名称	一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法
申请号	CN202110197020.2	申请日期	2021-02-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-11	公开/公告号	CN112786750A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/14 具有一个载流子传输控制结构，例如高掺杂半导体层或电流阻断结构〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	江苏大学	申请人地址	江苏省镇江市京口区学府路301号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏大学	当前权利人	江苏大学
发明人	吕全江;刘军林;刘桂武;乔冠军
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及半导体发光器件领域，特指一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法。所述二极管结构包括：P电极、基板、键合金属层、反射金属层、高阻半导体层、P面接触电极、P型层、发光层、N型层、N型欧姆接触层、N电极。在P型层与反射金属层之间设有高阻半导体层，在N电极正下方之外区域的高阻半导体层内留有空缺，并在空缺处设有P型接触电极与P型层相连。这种结构不仅能调控电流走向，同时高阻半导体层和P型层是一体的，且反射金属层与半导体高阻层的粘附力也远高于反射金属层与介质层的粘附力，从而解决了由于介质层带来的粘附力差的问题。

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