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一种微波插层制备WO3纳米片的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010586588.9
  • IPC分类号:C01G41/02;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N27/30
  • 申请日期:
    2020-08-07
  • 申请人:
    上海应用技术大学
著录项信息
专利名称一种微波插层制备WO3纳米片的方法
申请号CN202010586588.9申请日期2020-08-07
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-09-29公开/公告号CN111717936A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G41/02IPC分类号C;0;1;G;4;1;/;0;2;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;G;0;1;N;2;7;/;3;0查看分类表>
申请人上海应用技术大学申请人地址
上海市徐汇区漕宝路120号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海应用技术大学当前权利人上海应用技术大学
发明人俞鲜鲜;张骋;郑晓虹
代理机构上海申汇专利代理有限公司代理人徐俊;吴宝根
摘要
本发明公开了一种用微波插层法制备WO3纳米片的方法,其特征在于,将Bi2O3粉体与WO3粉体研磨,形成混合物;将混合物放入马弗炉中煅烧后,自然冷却,得到Bi2W2O9粉体;加入中分多次加入HCl搅拌均匀,每次加入HCl后微波加热;然后抽滤洗涤,自然晾干后得到亮黄色粉体;将其置于HNO3溶液中,磁力搅拌,离心、抽滤洗涤得到WO3纳米片。本发明借助微波只用较短的时间即可获得产物,大大地降低了制备时间。微波处理促进了Bi2W2O9转换成H2W2O7·xH2O,推进了WO3纳米片在固体电化学传感器领域的应用。

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