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一种具有复合钝化层的半导体器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202022813212.5
  • IPC分类号:H01L21/314;H01L21/205;B82Y30/00
  • 申请日期:
    2020-11-27
  • 申请人:
    厦门市三安集成电路有限公司
著录项信息
专利名称一种具有复合钝化层的半导体器件
申请号CN202022813212.5申请日期2020-11-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/314
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人厦门市三安集成电路有限公司申请人地址
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门市三安集成电路有限公司当前权利人厦门市三安集成电路有限公司
发明人林科闯;赵杰;刘成;叶念慈;林育赐;徐宁;郭德霄
代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司代理人张松亭;陈淑娴
摘要
本实用新型公开了一种具有复合钝化层的半导体器件,包括半导体基底和设于半导体基底之上的电极,还包括设于半导体基底和电极之上的复合钝化层,所述复合钝化层于所述电极之上具有暴露所述电极的开口;所述复合钝化层包括交替设置的第一纳米沉积层和第二纳米沉积层,其中第一纳米沉积层的生长速率低于第二纳米沉积层。利用纳米复合结构的钝化层,调控器件钝化工艺引入的应力,同时采用高黏附性及覆盖性的复合纳米结构钝化层,提高钝化层对存在较高台阶不连续区域的覆盖,提高器件可靠性。

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