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薄膜的结晶化方法、薄膜半导体装置的制造方法、电子设备的制造方法及显示装置的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200880016596.7
  • IPC分类号:H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786
  • 申请日期:
    2008-04-30
  • 申请人:
    索尼株式会社
著录项信息
专利名称薄膜的结晶化方法、薄膜半导体装置的制造方法、电子设备的制造方法及显示装置的制造方法
申请号CN200880016596.7申请日期2008-04-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-03-24公开/公告号CN101681815
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人索尼株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人索尼株式会社当前权利人索尼株式会社
发明人梅津畅彦;月原浩一;松延刚;稻垣敬夫;田附幸一;堀田慎;白井克弥
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人彭久云
摘要
在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11),并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造,在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时,非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造,提供了一种薄膜的结晶化方法,该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。

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