石墨基板

发明专利有效专利

申请号：
CN202110324200.2
IPC分类号：C23C16/458;H01L21/673;H01L33/00
申请日期：
2021-03-26
申请人：
华灿光电（苏州）有限公司

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著录项信息

专利名称	石墨基板
申请号	CN202110324200.2	申请日期	2021-03-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-20	公开/公告号	CN113278952A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/458 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/458 在反应室中支承基体的方法〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;5;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;3;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	华灿光电（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华灿光电（苏州）有限公司	当前权利人	华灿光电（苏州）有限公司
发明人	葛永晖;梅劲;刘春杨;丁涛;王慧
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司	代理人	吕耀萍

摘要

本公开提供了一种石墨基板，属于半导体技术领域。所述石墨基板为圆盘，所述石墨基板为圆盘，所述石墨基板具有相对的上表面和下表面，所述上表面上具有多个用于容纳外延片的凹槽，所述石墨基板的下表面上具有多个弧形凹坑，所述多个弧形凹坑与所述多个凹槽一一对应，每个所述凹槽在所述上表面上的正投影均为圆，每个所述弧形凹坑在所述上表面上的正投影均为圆弧，且所述圆弧位于对应的所述圆的圆周上，所述圆弧为所述圆上距离所述石墨基板的中心线距离最远的一段圆弧。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以缓解衬底圆边处由于离心力大导致的生长温度较高的问题，保证在衬底上形成的各个外延片的波长均匀性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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