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半导体元件及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110191345.X
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L21/762
  • 申请日期:
    2018-01-18
  • 申请人:
    联华电子股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体元件及其制作方法
申请号CN202110191345.X申请日期2018-01-18
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-05-14公开/公告号CN112802901A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人联华电子股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人联华电子股份有限公司当前权利人联华电子股份有限公司
发明人林文凯;盛义忠;薛胜元;康智凯
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陈小雯
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法,该半导体元件主要包含第一主动区、第二主动区以及第三主动区沿着第一方向延伸于一基底上、第一栅极线沿着第二方向延伸并交错第一主动区、第二主动区及第三主动区、第一单扩散隔离结构沿着第二方向延伸并设于第一主动区的第一栅极线正下方、第二单扩散隔离结构设于第二主动区的第一栅极线正下方以及第三单扩散隔离结构设于第三主动区的第一栅极线正下方。

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