具有受控电特性的纳米组合物

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专利名称	具有受控电特性的纳米组合物
申请号	CN200480030818.2	申请日期	2004-08-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-01-24	公开/公告号	CN1902716
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B3/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B3/00 按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择	IPC分类号	H;0;1;B;3;/;0;0;;;H;0;1;B;3;/;0;2;;;C;0;8;K;3;/;2;2;;;C;0;8;K;3;/;0;4查看分类表>
申请人	伦塞勒高聚技术研究所	申请人地址	美国纽约州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	伦塞勒高聚技术研究所	当前权利人	伦塞勒高聚技术研究所
发明人	R·W·西格尔;L·舍德勒-法伊斯特;D·马;J-I·洪;E·马腾松;C·翁内拜
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

本发明揭露一种场分级材料，包括：聚合基体，所述聚合基体具有一个或多个聚合相；以及场分级有效量的半导体纳米微粒填充剂，其中所述填充剂是杂相地分布在聚合基体中，使得所述半导体纳米微粒填充剂很好地分散在至少部分的聚合相的其中之一中；并且所述半导体纳米微粒填充剂包括小于40％体积百分比的场分级材料。

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