高磁热稳定性钴改性γ－三氧化二铁磁粉及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN92105419.X
IPC分类号：--
申请日期：
1992-07-10
申请人：
中国科学院物理研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	高磁热稳定性钴改性γ－三氧化二铁磁粉及其制备方法
申请号	CN92105419.X	申请日期	1992-07-10
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	1993-04-14	公开/公告号	CN1071027
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市603信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	罗河烈;王桂华;钟夏平
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种制备掺杂钴改性γ-Fe2O3磁粉的方法，特别是制备具有高磁热稳定性的掺Mn或P的钴改性γ-Fe2O3磁粉及其制备方法，本发明在钴改性γ-Fe2O3表面包附Mn或P，经热处理后，使这些离子扩散到磁粉的晶格内，当受到磁场和温度同时作用时，Co离子迁移的激活能大大提高，进而改善磁粉矫顽力的磁热稳定性。该方法制备的COxRv，Fe3-x-yO4，R＝Mn或P)磁粉适用于制造录像磁带，数字记录磁带和磁盘等。

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