电容器及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201880001099.3
IPC分类号：H01L49/02
申请日期：
2018-08-09
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著录项信息

专利名称	电容器及其制作方法
申请号	CN201880001099.3	申请日期	2018-08-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L49/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L49/00 不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L49/02 薄膜或厚膜器件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;9;/;0;2查看分类表>
申请人	暂无	申请人地址	广东省深圳市南山区南头街道南海大道西桃园路南西海明珠花园F座11楼B79 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市为通博科技有限责任公司	当前权利人	深圳市为通博科技有限责任公司
发明人	陆斌;沈健
代理机构	北京龙双利达知识产权代理有限公司	代理人	孙涛;毛威

摘要

本申请实施例提供了一种电容器及其制作方法，该电容器包括：半导体衬底(101)，包括相对设置的上表面和下表面；至少一第一沟槽(108)，设置于半导体衬底(101)，并自该上表面向下形成；至少一第二沟槽(109)，设置于半导体衬底(101)且对应于该第一沟槽(108)，并自该下表面向上形成；第一导电层(103)，设置在半导体衬底(101)上方和该第一沟槽(108)内；第一绝缘层(102)，设置于半导体衬底(101)与该第一导电层(103)之间；第二导电层(105)，设置在半导体衬底(101)上方和该第一沟槽(108)内，且该第二导电层(105)与半导体衬底(101)电连接；第二绝缘层(104)，设置于该第二导电层(105)与该第一导电层(103)之间；第三导电层(107)，设置在半导体衬底(101)下方和该第二沟槽(109)内；第三绝缘层(106)，设置于该第三导电层(107)与半导体衬底(101)之间，该第三导电层(107)与该第一导电层(103)电连接。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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