一种碳纳米管阵列的生长方法

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专利名称	一种碳纳米管阵列的生长方法
申请号	CN200510033948.8	申请日期	2005-03-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2006-10-04	公开/公告号	CN1840471
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/02 （转入C01B 32/05，C01B 32/15-C01B 32/198）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;0;2;;;B;8;2;B;3;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	申请人地址	北京市海淀区清华大学物理系变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	当前权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
发明人	姜开利;范守善
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种碳纳米管阵列的生长方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底的一表面形成有一催化剂层；将上述基底设置于一反应炉内；往反应炉内通入载气气体，并加热使得反应炉达到一预定温度；往反应炉内通入碳源气和氢气，该氢气通过一通气装置直接通入到基底附近；反应预定时间，在基底上生长得到碳纳米管阵列。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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