在550℃或更高的温度下使用ALD沉积含Si膜的前体和工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201980080819.4
IPC分类号：H01L21/31;H01L21/316;H01L21/318;C23C16/40;C23C16/44
申请日期：
2019-12-13
申请人：
乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

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专利名称	在550℃或更高的温度下使用ALD沉积含Si膜的前体和工艺
申请号	CN201980080819.4	申请日期	2019-12-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-23	公开/公告号	CN113169070A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/31 在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人	乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司	申请人地址	法国巴黎变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司	当前权利人	乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人	野田直人;中川尚久;让-马克·吉拉尔;宛志文
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	杨贝贝;臧建明

摘要

用于在基底上形成含Si膜的方法包括：将该基底加热至高于550℃的温度，将该基底暴露于包括形成含Si膜的组合物的蒸气，该组合物含有具有下式的含Si前体：SiR1yR24‑x‑y(NH‑SiR’3)x，其中x＝2、3、4；y＝0、1、2，R1和R2各自独立地选自H、卤素(Cl、Br、I)、C1‑C4烷基、异氰酸酯、C1‑C4烷氧基、或–NR3R4基团，其中R3和R4各自独立地选自H、C1‑C4烷基，前提是如果R3＝H，R4>C1；每个R’独立地选自H、卤素(Cl、Br、I)、或C1‑C4烷基，以及通过ALD工艺将该含Si前体沉积到该基底上以在该基底上形成该含Si膜。该含Si前体可以选自SiH2(NH‑Si(CH3)3)2、SiHCl(NH‑Si(CH3)3)2、SiCl2(NH‑Si(CH3)3)2、SiH(NH‑Si(CH3)3)3、SiCl(NH‑Si(CH3)3)3、或Si(NH‑Si(CH3)3)4。

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