一种热屏障装置及熔炼炉

发明专利有效专利

申请号：
CN202010621667.9
IPC分类号：C30B15/00;C30B29/06
申请日期：
2020-07-01
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种热屏障装置及熔炼炉
申请号	CN202010621667.9	申请日期	2020-07-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-13	公开/公告号	CN111926379A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海新昇半导体科技有限公司	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海新昇半导体科技有限公司
发明人	魏星;刘赟;栗展;魏涛;李名浩;薛忠营
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种热屏障装置及熔炼炉，其中，热屏障机构包括屏底和屏壁，屏底中心设有通孔，通孔用于通过待提拉的熔体，屏底包括第一层板、第二层板和侧板，侧板的一端与第一层板连接，第一层板靠近坩埚，第二层板远离坩埚，侧板另一端与第二层板连接，侧板的一侧、第一层板和第二层板围成通孔，侧板的另一侧、第一层板、第二层板和屏壁围成容置空腔；隔热机构设置在容置空腔内，隔热机构包括隔热件和保温件，隔热件设置在侧板一侧，隔热件的高度不小于侧板高度的二分之一，隔热件用于隔绝坩埚的热量散发至待提拉的熔体，容置空腔内部除隔热件外，填充保温件；本发明能够提高热屏与坩埚之间温度梯度，便于快速形成硅晶棒，提高硅晶棒的生产效率。

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