一种具有多孔结构的双大马士革结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201210343547.2
IPC分类号：H01L23/522
申请日期：
2012-09-17
申请人：
上海华力微电子有限公司

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专利名称	一种具有多孔结构的双大马士革结构
申请号	CN201210343547.2	申请日期	2012-09-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-09	公开/公告号	CN102867810A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	黄君;张瑜;黄海
代理机构	上海申新律师事务所	代理人	竺路玲

摘要

本发明提供的一种具有多孔结构的双大马士革结构，包括从下到上依次形成的金属互连层、刻蚀阻挡层、氧化物层、第一介电绝缘层、第二介电绝缘层、金属层和孔，所述孔设于所述金属互连层和金属层之间，所述第一介电绝缘层的介电常数为2.7~3.0，所述第二介电绝缘层的介电常数为2.1~2.3。本发明用介电常数比较高的第一介电绝缘层代替与孔同高度的一部分低介电常数的第二介电绝缘层来降低孔的锥形效应，从而消除双孔的孔高降低和削尖问题。本发明的结构简单，制作方便，成本较低，可以很方便的改善锥形孔的现象。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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