一种薄膜磁阻传感器

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201020217380.1
IPC分类号：G01D5/12;G01D5/14
申请日期：
2010-06-01
申请人：
王建国;薛松生

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种薄膜磁阻传感器
申请号	CN201020217380.1	申请日期	2010-06-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01D5/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01D 非专用于特定变量的测量；不包含在其他单独小类中的测量两个或多个变量的装置；计费设备；非专用于特定变量的传输或转换装置；未列入其他类目的测量或测试 G01D5/00 用于传递传感构件的输出的机械装置；将传感构件的输出变换成不同变量的装置，其中传感构件的形式和特性不限制变换装置；非专用于特定变量的变换器（G01D 3/00优先；专门适用于给出除变量的瞬时值以外的结果的仪表入G01D 1/00）〔6〕 G01D5/12 采用电或磁装置（G01D 5/06优先）〔3〕	IPC分类号	G;0;1;D;5;/;1;2;;;G;0;1;D;5;/;1;4查看分类表>
申请人	王建国;薛松生	申请人地址	江苏省无锡市新区长江路7号科技园一区无锡微磁传感科技有限公司变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	王建国,薛松生	当前权利人	王建国,薛松生
发明人	王建国;薛松生
代理机构	无锡市大为专利商标事务所	代理人	曹祖良

摘要

本实用新型涉及一种传感器，尤其是一种薄膜磁阻传感器，具体地说是一种用于磁场中电流、位置、移动角度，角速度等量检测的传感器。按照本实用新型提供的技术方案，所述薄膜磁阻传感器，包括种子层；参考层，位于种子层上，产生第一交换耦合场；非磁性隔离层，位于参考层上，将参考层与自由层相隔离；自由层，位于非磁性隔离层上，感应外磁场变化，并产生第二交换耦合场，所述第二交换耦合场与第一交换耦合场互相垂直。本实用新型磁滞小、测量精度和线性度高、线性范围可调、制作工艺简单、响应频率高、制造成本低及抗干扰能力强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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