一种骨架掺铪的耐高温杂化有机硅树脂及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010409000.2
IPC分类号：C08G77/22
申请日期：
2020-05-14
申请人：
哈尔滨工业大学

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专利名称	一种骨架掺铪的耐高温杂化有机硅树脂及其制备方法
申请号	CN202010409000.2	申请日期	2020-05-14
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-31	公开/公告号	CN111471178A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08G77/22 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08G 用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物（发酵或使用酶的方法合成目标化合物或组合物或从外消旋混合物中分离旋光异构体入C12P）〔2〕 C08G77/00 在高分子主链中形成含硅键合，有或没有硫、氮、氧，或碳键合反应得到的高分子化合物〔2〕 C08G77/04 聚硅氧烷〔2〕 C08G77/22 含有与含碳、氢及氧以外原子的有机基团连接的硅〔2〕	IPC分类号	C;0;8;G;7;7;/;2;2查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	刘丽;姜警;黄玉东
代理机构	哈尔滨龙科专利代理有限公司	代理人	高媛

摘要

一种骨架掺铪的耐高温杂化有机硅树脂及其制备方法，属于LED封装材料研究技术领域。本发明的目的是为了进一步提高LED封装树脂材料的耐热性和折光率，所述有机硅树脂的结构式如下：(R2SiO2/2)m(RSiO3/2)n(SiO4/2)p(HfO4/2)l(A)k，式中，R2SiO2/2、RSiO3/2、SiO4/2、HfO4/2分别表示二官能度单元硅氧烷、三官能度单元硅氧烷、四官能度单元硅氧烷和有机铪源；m、n、p、l、k分别表示R2SiO2/2、RSiO3/2、SiO4/2、HfO4/2及A的结构单元数目。本发明采用的操作步骤适用于工业大规模生产制备出的含铪有机硅树脂，具有优异的耐热性能(耐500℃)，高折光指数(n>1.55)。

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