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二维材料压应变工程的激光冲击制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110418626.4
IPC分类号：H01L21/02
申请日期：
2021-04-19
申请人：
武汉大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	二维材料压应变工程的激光冲击制备方法
申请号	CN202110418626.4	申请日期	2021-04-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-03	公开/公告号	CN113206004A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	武汉大学	申请人地址	湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉大学	当前权利人	武汉大学
发明人	胡耀武;刘胜;黄正;何亚丽;姜飞龙
代理机构	武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	肖明洲

摘要

本发明公开了一种二维材料压应变工程的激光冲击制备方法，通过在二维材料上铺设纳米金属颗粒并使用激光冲击使金属颗粒发生形变的方式使二维材料受到压应力产生应变。本发明使用激光冲击使金属颗粒发生形变的方法对二维材料施加外部压应力，使材料的能带结构发生变化，有效改善材料的电学、光学性能，适用于纳米级场效应晶体管、光电探测器等电子、光电子器件。

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