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InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710047624.9
  • IPC分类号:H01L31/105;H01L31/0224
  • 申请日期:
    2007-10-31
  • 申请人:
    中国科学院上海技术物理研究所
著录项信息
专利名称InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片
申请号CN200710047624.9申请日期2007-10-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2008-04-30公开/公告号CN101170144
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/105IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;0;5;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人中国科学院上海技术物理研究所申请人地址
上海市玉田路500号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海技术物理研究所当前权利人中国科学院上海技术物理研究所
发明人唐恒敬;吴小利;张可锋;汪洋;刘向阳;李永富;吴家荣;李雪;龚海梅
代理机构上海新天专利代理有限公司代理人郭英
摘要
本发明公开了一种InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片,包括:在p-InP/InGaAs/n-InP外延片上通过刻蚀形成线列或面阵p-InP微台面。在p-InP微台面上置有与其欧姆接触的Au/Zn/Pt/Au/P电极区,在线列或面阵微台面边上有一刻蚀至n-InP层并置于n-InP层上的公共N电极区。除P、N电极区外,整个外延片上,包括侧面覆盖有氮化硅钝化层。在P电极区上置有与读出电路互连的电极互连区,该电极互连区覆盖部分微台面,并从微台面延伸至平面。本发明的优点是:保留的InGaAs层可使台面降低,InGaAs层的侧面得到有效保护。氮化硅钝化层可有效的起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作用,可以增加探测器的量子效率和减小暗电流。P电极采用AuZnPtAu,可与p-InP形成很好的欧姆接触,并且Pt可以有效的阻止Zn的外扩散,提高器件可靠性。

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