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一种利用低温去除极紫外光刻收集镜表面Sn污染的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110550048.X
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2021-05-20
  • 申请人:
    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
著录项信息
专利名称一种利用低温去除极紫外光刻收集镜表面Sn污染的方法
申请号CN202110550048.X申请日期2021-05-20
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-08-06公开/公告号CN113219795A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请人地址
吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所当前权利人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人喻波;姚舜;邓文渊
代理机构深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)代理人魏毅宏
摘要
本发明提供了一种利用低温去除极紫外光刻收集镜表面Sn污染的方法,属于极紫外光刻污染去除技术领域,使被Sn污染的极紫外光刻收集镜所处的环境温度为‑33℃或以下,所处的环境为真空环境或惰性气体保护环境,此时Sn原子的温度低于13.2℃,发生如下化学反应:极紫外光刻收集镜上的白锡快速反应变成粉末状的灰锡,从极紫外光刻收集镜的表面脱落实现去除。本发明利用低温去除极紫外光刻收集镜表面Sn污染的方法,能降低去除收集镜上Sn污染的成本,并且避免H+去除Sn污染时容易引发爆炸的风险。

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