用于运行中固定的软参考层的包围层读－写导体

发明专利有效专利

申请号：
CN02103336.6
IPC分类号：G11C11/02
申请日期：
2002-01-31
申请人：
惠普公司

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著录项信息

专利名称	用于运行中固定的软参考层的包围层读－写导体
申请号	CN02103336.6	申请日期	2002-01-31
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2002-11-13	公开/公告号	CN1379408
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;0;2查看分类表>
申请人	惠普公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	T·C·安东尼;M·沙马
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴立明;王忠忠

摘要

一种具有读-写导体的磁性存储器单元，读-写导体用在运行中固定的软铁磁体参考层的高导磁率软磁材料完全包封。磁性存储器单元包括铁磁体数据层、在铁磁体数据层上形成的中间层、在中间层上形成的具有非固定磁化定向的软铁磁体参考层。软铁磁体参考层包括读-写导体和完全包围该读-写导体以形成一个被包围层的读-写导体的铁磁体包围层。外部提供的读电流流过读-写导体产生读磁场，它不饱和铁磁体包围层并基本包含在铁磁体包围层内，其作用是动态固定磁化定向在希望的方向上。在写操作期间，流过读-写导体的写电流产生写磁场，它饱和铁磁体包围层并延伸到铁磁体数据层以转动铁磁体数据层的磁化定向。铁磁体包围层显著减小边缘磁场。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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