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半导体场效应管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110636472.6
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L29/06
  • 申请日期:
    2021-06-08
  • 申请人:
    深圳大学
著录项信息
专利名称半导体场效应管
申请号CN202110636472.6申请日期2021-06-08
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-10-01公开/公告号CN113471281A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人深圳大学申请人地址
广东省深圳市南山区南海大道3688号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳大学当前权利人深圳大学
发明人李百奎
代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司代理人洪铭福
摘要
本申请公开了一种半导体场效应管,包括:HEMT器件、整流模块、分压模块,HEMT器件包括:源极、漏极和栅极,整流模块的一端连接HEMT器件的栅极,整流模块的另一端连接HEMT器件的源极,分压模块的一端用于接收驱动电压,分压模块的另一端连接HEMT器件的栅极。通过在HEMT器件的栅极和源极之间并联整流模块,当栅极的驱动电压过高时,整流模块即会导通,并通过分压模块进行分压,防止施加在栅极上的驱动电压过高。

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