一种大尺寸碳化硅晶体的生长装置及生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211112618.8
IPC分类号：C30B29/36;C30B23/00
申请日期：
2022-09-14
申请人：
青禾晶元（天津）半导体材料有限公司

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著录项信息

专利名称	一种大尺寸碳化硅晶体的生长装置及生长方法
申请号	CN202211112618.8	申请日期	2022-09-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2022-10-18	公开/公告号	CN115198366A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	青禾晶元（天津）半导体材料有限公司	申请人地址	天津市滨海新区滨海高新区塘沽海洋科技园新北路4668号创新创业园21-B号商务楼北3014号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	青禾晶元（天津）半导体材料有限公司	当前权利人	青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
发明人	郭超;母凤文
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	边人洲

摘要

本发明提供一种大尺寸碳化硅晶体的生长装置及生长方法，所述生长装置包括由内而外依次嵌套设置的晶体生长单元、加热单元、隔热箱和腔室；所述加热单元对晶体生长单元的顶部、外周和底部进行加热；所述晶体生长单元的底部设置有旋转驱动组件。所述生长方法包括控制加热单元的功率以达到下述条件（1）晶体生长单元内部空间的径向温度梯度小于第一设定值；（2）晶体生长单元内部未充满碳化硅粉料空间的生长轴向温度梯度等于第二设定值；（3）晶体生长单元内部已充满碳化硅粉料空间的粉料轴向温度梯度等于第三设定值。本发明通过改进生长装置的结构及生长条件，精确调控了晶体生长的温度场，提高了大尺寸碳化硅晶体生长的质量、效率和成品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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