形成凹穴和接触窗的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN97117756.2
IPC分类号：--
申请日期：
1997-08-28
申请人：
世界先进积体电路股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	形成凹穴和接触窗的方法
申请号	CN97117756.2	申请日期	1997-08-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1998-07-22	公开/公告号	CN1188327
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	世界先进积体电路股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	世界先进积体电路股份有限公司	当前权利人	世界先进积体电路股份有限公司
发明人	简荣吾;颜子师
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	马莹

摘要

一种半导体元件中，在非导电层内形成凹穴的方法，包括步骤：先提供一半导体基底，其上具有一非导电层及一设定图案的光阻层，在光阻层及非导电层上均匀淀积一聚合物层，再蚀刻聚合物层以在光阻层上形成聚合物侧壁间隙。然后蚀刻非导电层直至半导体基底，形成凹穴。在本发明中，光阻层开口侧壁的聚合物侧壁间隙可以用公知的光刻技术完成，并用以形成凹穴，例如接触窗或线间距。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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