一种基于多层掩蔽层制作微结构的体硅加工方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910304439.2
IPC分类号：B81C1/00
申请日期：
2009-07-16
申请人：
大连理工大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种基于多层掩蔽层制作微结构的体硅加工方法
申请号	CN200910304439.2	申请日期	2009-07-16
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-12-30	公开/公告号	CN101613077
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	大连理工大学	申请人地址	辽宁省大连市甘井子区凌工路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连理工大学	当前权利人	大连理工大学
发明人	罗怡;张宗波;王晓东;张彦国;郑英松
代理机构	大连理工大学专利中心	代理人	梅洪玉

摘要

传统硅工艺制作复杂微结构，在第二次甩胶光刻时易出现堆胶和脱胶问题，使得硅基上微结构的制作无法顺利进行。本发明公开了一种基于多层掩蔽层制作微结构的体硅加工方法，属于硅工艺制造领域，用于实现硅片上复杂微结构的制作。该方法利用掩蔽层生长以及套刻技术，将多个掩模版的图形逐层转移到硅片上，在硅微结构腐蚀前，将整个工艺所涉及的光刻步骤完成，避免了由于硅微结构的存在引起的堆胶和脱胶问题，实现了硅片上微复杂结构的制作。本发明的效果和益处是能够解决传统硅工艺中微复杂结构难以制备的问题，并且该方法与传统硅工艺具有较好的兼容性，操作灵活，简单。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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