一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610248341.X
IPC分类号：H01F41/02
申请日期：
2016-04-20
申请人：
北京科技大学

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著录项信息

专利名称	一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法
申请号	CN201610248341.X	申请日期	2016-04-20
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-09-14	公开/公告号	CN105938757A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F41/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F41/00 专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法 H01F41/02 用于制造磁芯、线圈或磁体的〔3〕	IPC分类号	H;0;1;F;4;1;/;0;2查看分类表>
申请人	北京科技大学	申请人地址	北京市海淀区学院路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京科技大学	当前权利人	北京科技大学
发明人	包小倩;高学绪;汤明辉;卢克超;孙璐
代理机构	北京市广友专利事务所有限责任公司	代理人	张仲波

摘要

一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法，属于稀土永磁材料制备领域。其特征是通过对高丰度稀土永磁材料进行晶界扩渗，扩渗源成份为(NdxPr100‑x)a(DyyTb100‑y)b(AlzCu100‑z)100‑a‑b(x＝0‑100,y＝0‑100,z＝5‑30；a+b＝60‑90,a>b≥5，重量分数)。具体工艺步骤是：真空冶炼扩渗源合金，将扩渗源合金制成薄带或粉末并附着在高丰度稀土永磁体表面，随后在真空炉中，600‑900℃扩散处理1‑8小时，450‑550℃退火处理1‑5小时。本发明的优点是通过晶界扩渗少量复合中重稀土－铜铝合金，既可改善晶界相的分布提高去磁耦合作用，又可改善内禀性能，磁性能特别是矫顽力提升效果显著。

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