一种化学机械抛光组合物

发明专利无效专利

申请号：
CN201410589702.8
IPC分类号：H01L21/304
申请日期：
2014-10-28
申请人：
清华大学;深圳清华大学研究院

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著录项信息

专利名称	一种化学机械抛光组合物
申请号	CN201410589702.8	申请日期	2014-10-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-01-28	公开/公告号	CN104312440A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/304 机械处理，例如研磨、抛光、切割〔2〕	IPC分类号	H01L21/304查看分类表>
申请人	清华大学;深圳清华大学研究院	申请人地址	北京市海淀区北京-8*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学,深圳清华大学研究院	当前权利人	清华大学,深圳清华大学研究院
发明人	潘国顺;周艳;罗桂海;梁晓璐;史晓磊
代理机构	深圳市鼎言知识产权代理有限公司	代理人	哈达

摘要

本发明涉及一种化学机械抛光组合物，属于半导体照明LED芯片、功率器件、通讯射频器件制造技术领域，特别涉及一种用于碳化硅晶片的抛光组合物。本发明的特征在于，包括磨粒、氧化剂、腐蚀剂、抛光促进剂、抛光稳定剂和水；其中，各组分配比为：磨料为10～30wt％，氧化剂为1～15wt％，腐蚀剂为0.01～10wt％，抛光促进剂为1～10wt％，抛光稳定剂为0.1～10wt％，水余量。本发明提供的抛光组合物具有抛光去除速率高、循环抛光性能好的特点；经其抛光后的碳化硅晶片表面极其光滑，无划痕、凹坑等表面缺陷，表面粗糙度极低，呈现出清晰规整的原子台阶形貌。

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发明授权

一种化学机械抛光组合物

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