一种基于薄纳米片状MXene碳化铌的湿度传感器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010223240.3
IPC分类号：G01N27/12;B32B9/00;B32B9/04;B32B9/06;B32B33/00
申请日期：
2020-03-26
申请人：
电子科技大学

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专利名称	一种基于薄纳米片状MXene碳化铌的湿度传感器及其制备方法
申请号	CN202010223240.3	申请日期	2020-03-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-03	公开/公告号	CN111366615A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗 G01N27/04 通过测试电阻 G01N27/12 与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;1;2;;;B;3;2;B;9;/;0;0;;;B;3;2;B;9;/;0;4;;;B;3;2;B;9;/;0;6;;;B;3;2;B;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	太惠玲;赵秋妮;徐建龙;段再华;袁震;蒋亚东;谢光忠;杜晓松
代理机构	成都弘毅天承知识产权代理有限公司	代理人	邓芸

摘要

本发明公开了一种基于薄纳米片状MXene碳化铌的湿度传感器及其制备方法，涉及湿敏元件及其制备技术领域，本发明由带有电极的衬底层和湿度敏感层组成，所述的湿度敏感层由薄纳米片状MXene碳化铌敏感材料制得。制备方法包括以下步骤：对敏感器件进行预处理；制备薄纳米片状MXene碳化铌敏感材料分散液；用制备好的薄纳米片状MXene碳化铌敏感材料分散液在敏感器件上制备湿度敏感层，最后干燥得到湿度传感器；本发明利用薄纳米片状MXene碳化铌的大比表面积与优异吸水性所获得的湿度传感器具有响应高、速度快等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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