有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510194945.6
IPC分类号：G01N27/414
申请日期：
2015-04-22
申请人：
电子科技大学

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专利名称	有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法
申请号	CN201510194945.6	申请日期	2015-04-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-08-19	公开/公告号	CN104849336A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/414 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/26 通过测试电化学变量；用电解或电泳法〔5〕 G01N27/403 电池和电极组件〔5〕 G01N27/414 对离子敏感的场效应晶体管或化学场效应晶体管，即ISFETS或CHEMFETS〔5〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;4;1;4查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	于军胜;施薇;王煦;韩世蛟
代理机构	成都弘毅天承知识产权代理有限公司	代理人	杨保刚;徐金琼

摘要

本发明公开了一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法，属于电子元器件技术领域，解决现有技术中不能精确控制有机材料内晶粒的大小、不能实现有机场效应晶体管气体传感器的室温探测的问题。本发明其结构包括从下到上依次设置的衬底、栅电极、栅极绝缘层、有机半导体层，在有机半导体层上设置的源电极和漏电极，所述有机半导体层为可溶性的，在有机半导体层加入5％～15％的虫胶进行混合。本发明用于精确控制有机材料内晶粒的大小，实现有机场效应晶体管气体传感器的室温探测。

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