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高单元密度沟槽MOSFET中的不同台面尺寸

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200780003837.X
  • IPC分类号:H01L29/76
  • 申请日期:
    2007-01-23
  • 申请人:
    飞兆半导体公司
著录项信息
专利名称高单元密度沟槽MOSFET中的不同台面尺寸
申请号CN200780003837.X申请日期2007-01-23
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2009-02-25公开/公告号CN101375401
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/76
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;6查看分类表>
申请人飞兆半导体公司申请人地址
美国缅因州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人飞兆半导体公司当前权利人飞兆半导体公司
发明人王琦;戈登·乔治·西姆
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人余刚;尚志峰
摘要
提供了在保持低闩住基极电阻的同时具有用于高电流承载能力的高单元密度的功率MOSFET的电路、方法、以及设备。一个器件采用具有不同台面(沟槽栅极之间的区)尺寸的多个晶体管单元。在多个较大单元中利用重体蚀刻来减小闩住基极电阻。该蚀刻去除台面区中的硅,随后以低阻抗的铝来代替。没有接受该蚀刻的多个较小单元被用来增加器件的电流能力。通过确保这些单元具有较低BVDSS击穿电压来将雪崩电流导向尺寸较大、闩住基极电阻较低的单元。可通过调整在较宽台面任一侧上的沟槽栅极的临界尺寸或宽度,或通过调整重体蚀刻的深度来改变大单元的BVDSS。

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