碳化硅单晶制造用碳化硅粉体及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201180055027.5
IPC分类号：C01B31/36;C30B29/36
申请日期：
2011-11-10
申请人：
独立行政法人产业技术综合研究所;电气化学工业株式会社

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著录项信息

专利名称	碳化硅单晶制造用碳化硅粉体及其制造方法
申请号	CN201180055027.5	申请日期	2011-11-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-17	公开/公告号	CN103209923A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;3;6;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	独立行政法人产业技术综合研究所;电气化学工业株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	独立行政法人产业技术综合研究所,电气化学工业株式会社	当前权利人	独立行政法人产业技术综合研究所,电气化学工业株式会社
发明人	加藤智久;武田雄介;村田弘
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郭放;许伟群

摘要

本发明提供在利用升华再结晶法的单晶生长中，显示出高且稳定的升华速度的碳化硅粉体及其制造方法。是平均粒径在100℃以上700μｍ以下、且比表面积在0.05ｍ2/ｇ以上0.30ｍ2/ｇ以下的碳化硅单晶制造用碳化硅粉体。优选为粒子粒径在5μｍ以上200μｍ以下的一次粒子烧结而成的粒子形态。碳化硅单晶制造用碳化硅粉体的制造方法包含：以温度1900℃以上2400℃以下、压力70Mpa以下、非氧化性气氛下的条件，将平均粒径20μｍ以下的碳化硅粉体加压烧结来得到密度1.29g/cm3以上的烧结体的工序；通过粉碎对得到的烧结体进行粒度调整的工序；以及通过酸处理除去杂质的工序。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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