加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

焦平面阵列及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201180012017.3
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2011-03-01
  • 申请人:
    森松诺尔技术有限公司
著录项信息
专利名称焦平面阵列及其制造方法
申请号CN201180012017.3申请日期2011-03-01
法律状态放弃专利权申报国家中国
公开/公告日2013-01-16公开/公告号CN102884628A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人森松诺尔技术有限公司申请人地址
挪威霍尔滕 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人森松诺尔技术有限公司当前权利人森松诺尔技术有限公司
发明人阿德里亚娜·勒珀达图;佐蒙德·基特尔斯兰德
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人郑小粤
摘要
本发明公开了形成包括至少一个像素(2)的焦平面阵列的方法,焦平面阵列通过下列步骤来制造:制备具有设置在表面上的传感材料(3)的第一晶片,该表面由第一牺牲层覆盖;制备包括读出集成电路(ROIC)和接触衬垫的第二晶片(9),接触衬垫由第二牺牲层覆盖,在第二牺牲层内形成与接触衬垫接触的一个或多个支撑腿(7),支撑腿覆盖有另一牺牲层;将第一晶片和第二晶片的牺牲层键合在一起,使得当第一晶片的牺牲体层被移除之后,传感材料(3)从第一晶片转移到第二晶片;限定传感材料中的像素(2),并形成穿过像素的传导通孔(28),以提供在像素的最上面的表面与其支撑腿之间的连接;以及移除牺牲层,以释放所述至少一个像素,使得其支撑腿被布置在像素之下。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供