固态图像传感器、固态成像装置和相机装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201380039045.3
IPC分类号：H01L27/148;H04N5/359;H04N5/369
申请日期：
2013-06-25
申请人：
索尼公司

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著录项信息

专利名称	固态图像传感器、固态成像装置和相机装置
申请号	CN201380039045.3	申请日期	2013-06-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-01	公开/公告号	CN104488083A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/148 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕 H01L27/144 由辐射控制的器件〔5〕 H01L27/146 图像结构〔5〕 H01L27/148 电荷耦合图像器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;4;8;;;H;0;4;N;5;/;3;5;9;;;H;0;4;N;5;/;3;6;9查看分类表>
申请人	索尼公司	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼半导体解决方案公司	当前权利人	索尼半导体解决方案公司
发明人	藤冈丈志;黑瀬朋纪;田中弘明
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	李晓舒

摘要

本技术涉及固态图像传感器、固态成像装置和相机装置，即使单元尺寸减小，也能使白斑不明显。该固态图像传感器包括：寄存器单元，形成为延伸在第一方向上的n型杂质区域；读取单元，构造为将来自该光电转换单元的电荷读入该寄存器单元中，并且形成为延伸在与该寄存器单元相同方向上的p型杂质区域；水平元件隔离单元，构造为防止电荷从该光电转换单元泄漏，并且形成为延伸在与该寄存器单元相同方向上的p型杂质区域；以及多个转移电极，构造为施加电压以改变该寄存器单元的电位分布，其中，该转移电极当中具有预定低值的待机电压的低位电极之下形成该寄存器单元的n型杂质总量小于待机电压高于该预定低值的中位电极之下形成该寄存器单元的n型杂质总量。

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