一种应变GeSiOI衬底及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011393106.4
IPC分类号：H01L27/12;H01L21/762
申请日期：
2020-12-02
申请人：
广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

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著录项信息

专利名称	一种应变GeSiOI衬底及其制作方法
申请号	CN202011393106.4	申请日期	2020-12-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-09	公开/公告号	CN112635492A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人	广东省大湾区集成电路与系统应用研究院	申请人地址	广东省广州市广州开发区开源大道136号A栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东省大湾区集成电路与系统应用研究院	当前权利人	广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
发明人	亨利·H·阿达姆松;王桂磊;罗雪;孔真真
代理机构	北京辰权知识产权代理有限公司	代理人	金铭

摘要

本发明涉及一种应变GeSiOI衬底及其制作方法。一种应变GeSiOI衬底包括由下至上依次堆叠的：硅衬底，第一氧化硅层，多个氮化硅分隔条；第二氧化硅层；Ge1‑xSix层。制作方法：制作支撑衬底：在第一硅衬底上依次沉积第一氧化硅层、氮化硅层；图案化所述氮化硅层形成多个分立的氮化硅分隔条，相邻分隔条之间形成沟槽；再形成第二氧化硅层，以填充沟槽并覆盖分隔条的上表面；制作施主衬底：在第二硅衬底上外延Ge1‑xSix层；将支撑衬底和施主衬底键合、减薄，获得应变GeSiOI衬底。本发明在支撑衬底而非施主衬底中引入，利用这种工艺形成的GeSiOI衬底应变力更大，制作的器件电特性更优良。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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