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防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010207716.0
  • IPC分类号:H01L21/28
  • 申请日期:
    2010-06-24
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第十三研究所
著录项信息
专利名称防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法
申请号CN201010207716.0申请日期2010-06-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-11-10公开/公告号CN101882575A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第十三研究所申请人地址
河北省石家庄市合作路113号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第十三研究所当前权利人中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人霍玉柱;潘宏菽;商庆杰;齐国虎
代理机构石家庄国为知识产权事务所代理人夏素霞
摘要
本发明公开了一种防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法,其包括干法刻蚀SiC基体、划定欧姆接触的区域、在上述区域淀积金属层、高温退火,形成欧姆接触,其特征在于,在淀积金属层的步骤前面,增加下述步骤:①氧化步骤:对SiC基体进行氧化,形成厚度≥的氧化层;②去除欧姆接触的区域上的氧化层。采用本发明有效防止在高温退火的过程中,熔化的金属层会发生一定的横向扩展;便于严格按照设计要求制备欧姆电极;减少了寄生参量,提高了SiC器件或电路的性能。

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