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一种纳米硅粉的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610577932.1
  • IPC分类号:C01B33/021;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2016-07-21
  • 申请人:
    中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
著录项信息
专利名称一种纳米硅粉的制备方法
申请号CN201610577932.1申请日期2016-07-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-12-07公开/公告号CN106185947A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B33/021IPC分类号C;0;1;B;3;3;/;0;2;1;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人中国有色桂林矿产地质研究院有限公司申请人地址
广西壮族自治区桂林市七星区辅星路9号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国有色桂林矿产地质研究院有限公司当前权利人中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
发明人秦海青;张振军;刘文平;林峰;卢宗柳;张健伟;雷晓旭;蒙光海;卢安军
代理机构桂林市持衡专利商标事务所有限公司代理人唐智芳
摘要
本发明公开了一种纳米硅粉的制备方法,它是以粗的硅粉为原料,采用惰性气体作为载气,将原料在载气的携带下穿过高频等离子体发生器产生的等离子体送入反应室中,在反应室中的高温等离子区域快速气化,生成的硅原子蒸汽云经过冷却区域时在冷却气流的作用下形成微小的硅颗粒,所得硅颗粒在气流的带动下进入旋风分级室,经分级后较粗的硅颗粒滞留在旋风分级室,较细的硅颗粒被气流带入气固分离室,并最终沉积在气固分离室的过滤器上,收集过滤器上的硅颗粒,即得。本发明采用感应等离子体作为热源,制备过程无电极污染,所制纳米硅粉具备较高的纯度,颗粒形貌为球形或近似球形,比表面积大,表面活性高,流动性和分散性好。

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