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用于类似铜铟亚盐酸太阳能电池的光伏器件的后接触结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201380033685.3
IPC分类号：H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749
申请日期：
2013-03-19
申请人：
葛迪恩实业公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于类似铜铟亚盐酸太阳能电池的光伏器件的后接触结构
申请号	CN201380033685.3	申请日期	2013-03-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-04	公开/公告号	CN104396020A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0224 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0224 电极〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;9;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;4;9查看分类表>
申请人	葛迪恩实业公司	申请人地址	美国密歇根州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	葛迪恩实业公司	当前权利人	葛迪恩实业公司
发明人	阿列克谢·克拉斯诺夫
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	刘培培;黎艳

摘要

提供一种用于CIGS型光伏器件的后接触结构。根据示例性实施例，所述后接触结构包括光学匹配层和/或具有MoSe2的部分，厚度基本与一些光伏器件中使用的CIGS型吸收层中反射光的最大吸收值相对应。提供用于制备后接触结构的一些示例性方法，其中，MoSe2层和/或部分的厚度范围可被控制在相当于反射太阳能光的CIGS光吸收率的最大值内。

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