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二碘化铅薄膜在亚皮秒全光磁开关中的应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610251265.8
  • IPC分类号:H03K17/94
  • 申请日期:
    2016-04-21
  • 申请人:
    山东师范大学
著录项信息
专利名称二碘化铅薄膜在亚皮秒全光磁开关中的应用
申请号CN201610251265.8申请日期2016-04-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-07-27公开/公告号CN105811953A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03K17/94IPC分类号H;0;3;K;1;7;/;9;4查看分类表>
申请人山东师范大学申请人地址
山东省济南市历下区文化东路88号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人山东师范大学当前权利人山东师范大学
发明人马红;刘玫;赵丽娜;焦扬;高垣梅
代理机构济南圣达知识产权代理有限公司代理人董洁
摘要
本发明公开了二碘化铅薄膜在亚皮秒全光磁开关中的应用。根据光学取向原理,利用圆偏振光产生一个有效磁场,在有效磁场的作用下,线偏振光的偏振面产生瞬态旋转。该类开关的切换速度达到亚皮秒量级,适用于470nm‑510nm的可见光波长范围,可以承受500μJ/cm2强脉冲激光。PbI2薄膜材料制备简单,造价低廉,适合大批量开发。薄膜厚度为纳米量级,光斑尺寸为微米量级,无需外加磁场,适合制备小体积全光磁开关并运用到集成光路中。

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