用于形成封装半导体装置的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110310276.X
IPC分类号：H01L21/268H01L21/78H01L21/56
申请日期：
2021-03-23
申请人：
恩智浦有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于形成封装半导体装置的方法
申请号	CN202110310276.X	申请日期	2021-03-23
法律状态	公开	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-09-28	公开/公告号	CN113451118A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/268 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/26 用波或粒子辐射轰击的〔2〕 H01L21/263 带有高能辐射的（H01L 21/261优先）〔2，6〕 H01L21/268 应用电磁辐射的，例如激光辐射〔2〕	IPC分类号	H01L21/268;H01L21/78;H01L21/56查看分类表>
申请人	恩智浦有限公司	申请人地址	荷兰埃因霍温高科技园区60邮编：565*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	恩智浦有限公司	当前权利人	恩智浦有限公司
发明人	萨沙·默勒;古伊多·阿尔贝曼;米夏埃尔·策纳克
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	孙尚白

摘要

一种具有多个管芯的半导体晶片附接到支撑结构。所述半导体晶片包括在硅层上方的有效层，其中所述有效层在顶侧处，并且底侧暴露所述硅层。当所述晶片附接到所述支撑结构时，使红外激光束聚焦穿过所述硅层的一部分，以沿着位于所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线形成改性区。之后，在所述半导体晶片的所述底侧处的暴露的硅层上形成金属层。将所述金属层附接到扩展带，并且通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述晶片。封装所述多个管芯中的第一单切管芯，以形成封装半导体装置。

一种婚恋对象精准匹配方法及系统

发明授权

用于形成封装半导体装置的方法

在售专利 早买早用

在售专利早买早用