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基于高分子材料老化试验的太阳光辐照的监测及分析方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310413915.0
  • IPC分类号:G01J3/28;G01N17/00
  • 申请日期:
    2013-09-11
  • 申请人:
    中国电器科学研究院有限公司
著录项信息
专利名称基于高分子材料老化试验的太阳光辐照的监测及分析方法
申请号CN201310413915.0申请日期2013-09-11
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2014-01-08公开/公告号CN103499390A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01J3/28IPC分类号G;0;1;J;3;/;2;8;;;G;0;1;N;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人中国电器科学研究院有限公司申请人地址
广东省广州市海珠区新港西路204号三栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电器科学研究院股份有限公司当前权利人中国电器科学研究院股份有限公司
发明人冯皓;马坚;秦汉军
代理机构广州知友专利商标代理有限公司代理人宣国华
摘要
本发明公开了基于高分子材料老化试验的太阳光辐照的监测及分析方法,包括步骤(1)在大气暴露试验场内选择与试验样品处于同等光辐照条件的位置作为监测点,对该监测点的太阳光谱进行测量,获得以波长λ为横坐标瞬时太阳光辐照强度Eeλ为纵坐标的瞬时太阳光谱图,以及当次测量的总太阳光辐照强度Ee,每天监测的太阳光谱数据不少于50组;(2)根据步骤(1)获得的数据,分析高分子材料试验样品老化历程、预测高分子材料试验样品的使用寿命,并且为开发高分子材料人工光老化加速试验方法和试验设备提供依据。

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