一种利用脉冲激光沉积制备独立分散铁酸钴纳米柱的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810263320.4
IPC分类号：C23C14/28;C23C14/08;C23C14/54;H01F41/20
申请日期：
2018-03-28
申请人：
湘潭大学

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专利名称	一种利用脉冲激光沉积制备独立分散铁酸钴纳米柱的方法
申请号	CN201810263320.4	申请日期	2018-03-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-09-18	公开/公告号	CN108546919A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/28 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/24 真空蒸发〔4〕 C23C14/28 波能法或粒子辐射法（C23C 14/32至C23C 14/48优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;2;8;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4;;;H;0;1;F;4;1;/;2;0查看分类表>
申请人	湘潭大学	申请人地址	湖南省湘潭市雨湖区西郊羊牯塘街道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湘潭大学	当前权利人	湘潭大学
发明人	钟高阔;安峰;李奥林;谢淑红;钟向丽;王金斌
代理机构	北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	崔自京

摘要

本发明公开了一种利用脉冲激光沉积制备独立分散铁酸钴纳米柱的方法，其中包括：选择基片，并对其进行预处理；在上述经过预处理的基片上，采用脉冲激光沉积系统，利用快速切换双靶材的方法，制备得到独立分散的铁酸钴纳米柱；对上述步骤制备得到的铁酸钴纳米柱样品进行后处理。本发明公开的制备方法具有制备流程简单、产出高效等优点，且整体制备过程能够实现精确控制，制备得到的产品质量稳定，有利于实现大批量、工业化生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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