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一种抗闩锁IGBT器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610298120.3
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/739
  • 申请日期:
    2016-05-04
  • 申请人:
    江苏中科君芯科技有限公司;中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称一种抗闩锁IGBT器件
申请号CN201610298120.3申请日期2016-05-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-07-13公开/公告号CN105762177A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人江苏中科君芯科技有限公司;中国科学院微电子研究所申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏中科君芯科技有限公司,中国科学院微电子研究所当前权利人江苏中科君芯科技有限公司,中国科学院微电子研究所
发明人杨飞;张广银;谭骥;沈千行;朱阳军;卢烁今;田晓丽
代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)代理人曹祖良;张涛
摘要
本发明涉及一种抗闩锁IGBT器件,其在半导体基板的第一导电类型基区内设置若干规则排布且相互平行分布的有源元胞,所述有源元胞包括位于第一导电类型基区内上部的第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区内的第一导电类型源极区,所述第二导电类型基区、第一导电类型源极区与半导体基板第一主面上的源极金属欧姆接触;在所述第二导电类型基区内还设有第一导电类型阻挡环,所述第一导电类型阻挡环位于第一导电类型源极区的外圈,第一导电类型阻挡环外部以及第一导电类型阻挡环与第一导电类型源极之间是第二导电类型基区,第一导电类型阻挡环的一端通过半导体基板第一主面上的绝缘介质层与源极金属绝缘隔离,另一端与沟道侧壁接触。本发明结构紧凑,能有效减少发生闩锁的风险,为降低导通压降提供基础,与现有工艺相兼容,安全可靠。

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