一种提高MOCVD外延薄膜质量的优化生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011524321.3
IPC分类号：C23C16/02;C23C16/30;C23C16/455;H01L21/02
申请日期：
2020-12-22
申请人：
温州大学激光与光电智能制造研究院;温州大学

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著录项信息

专利名称	一种提高MOCVD外延薄膜质量的优化生长方法
申请号	CN202011524321.3	申请日期	2020-12-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-07	公开/公告号	CN112760611A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/02 待镀材料的预处理（C23C 16/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;0;2;;;C;2;3;C;1;6;/;3;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	温州大学激光与光电智能制造研究院;温州大学	申请人地址	浙江省温州市海洋科技创业园C1栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	温州大学激光与光电智能制造研究院,温州大学	当前权利人	温州大学激光与光电智能制造研究院,温州大学
发明人	钟蓉;黄文献;熊诵明;王杨波
代理机构	杭州浙科专利事务所（普通合伙）	代理人	陈包杰

摘要

本发明公开一种用预沉积形核层提高MOCVD外延薄膜质量的优化生长方法。采用的技术方案包括以下制备方法：步骤1、将衬底或薄膜A放在MOCVD设备的反应腔中，在反应腔充满载气H2的状态下，通入含元素X的化合物作为X源，将温度、反应腔压力、沉积时间均设置在该气体化合物能够分解出X原子的参数范围内，在衬底或薄膜A的表面进行预沉积X原子层，此时X原子层吸附在衬底或者薄膜A上；该X原子层可在后续流程中与其他化合物反应生成薄膜B成分，或者与薄膜A直接形成薄膜B成分。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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