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垂直结型场效应半导体二极管及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN01821925.X
  • IPC分类号:H01L29/861;H01L21/329
  • 申请日期:
    2001-10-18
  • 申请人:
    弗拉姆技术公司
著录项信息
专利名称垂直结型场效应半导体二极管及其制造方法
申请号CN01821925.X申请日期2001-10-18
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2004-09-22公开/公告号CN1531756
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/861
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人弗拉姆技术公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人阿雷光电公司当前权利人阿雷光电公司
发明人R·A·梅茨勒
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人吴立明;梁永
摘要
半导体二极管(320)是二极管连接的垂直柱面体场效应器件,它有作为在垂直柱面体场效应器件的栅(312)和源/漏(309)之间共用连接的一个二极管引接端。对此二极管连接的垂直柱面体场效应器件的形成方法予以公开。

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