快闪存储单元、快闪存储单元阵列及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03155542.X
IPC分类号：H01L27/105;H01L27/115;H01L21/8239;H01L21/8247
申请日期：
2003-08-28
申请人：
力晶半导体股份有限公司

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专利名称	快闪存储单元、快闪存储单元阵列及其制造方法
申请号	CN03155542.X	申请日期	2003-08-28
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2005-03-09	公开/公告号	CN1591873
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/105 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;0;5;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分类表>
申请人	力晶半导体股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	力晶半导体股份有限公司	当前权利人	力晶半导体股份有限公司
发明人	许正源;洪至伟;吴齐山;黄明山
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波;侯宇

摘要

本发明公开一种快闪存储单元、快闪存储单元阵列及其制造方法。该快闪存储单元阵列由衬底、串接的多个存储单元结构与源极区/漏极区所构成。各个存储单元结构是由设置于衬底上且由衬底起依序为选择栅极介电层、选择栅极与顶盖层所构成的堆栈栅极结构；设置于选择栅极侧壁的间隙壁；设置于堆栈栅极结构一侧，并与堆栈栅极结构相连接的控制栅极；设置于控制栅极与衬底之间的浮置栅极；设置于控制栅极与浮置栅极之间的栅极间介电层；设置于浮置栅极与衬底之间的隧穿介电层与分别设置于存储单元阵列最外侧的控制栅极与堆栈栅极结构一侧的衬底中的源极区/漏极区所构成。

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