使用自对准注入和封盖制造太阳能电池发射极区

发明专利有效专利

申请号：
CN201480056621.X
IPC分类号：H01L31/028;H01L31/0368;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18
申请日期：
2014-11-25
申请人：
太阳能公司

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著录项信息

专利名称	使用自对准注入和封盖制造太阳能电池发射极区
申请号	CN201480056621.X	申请日期	2014-11-25
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-06-01	公开/公告号	CN105637647A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/028 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕 H01L31/028 除掺杂或其他杂质外，只包含周期表Ⅳ族元素的〔5，2014.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;6;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	太阳能公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	太阳能公司	当前权利人	太阳能公司
发明人	蒂莫西·韦德曼
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	顾丽波;井杰

摘要

描述了使用自对准注入和封盖制造太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，制造太阳能电池的发射极区的方法涉及在基板上方形成硅层。所述方法还涉及穿过模板掩模将掺杂物杂质原子注入所述硅层中，以形成所述硅层的具有相邻未注入区的注入区。所述方法还涉及穿过所述模板掩模在所述硅层的所述注入区上并与所述注入区实质对准形成封盖层。所述方法还涉及移除所述硅层的所述未注入区，其中在所述移除期间，所述封盖层对所述硅层的所述注入区加以保护。所述方法还涉及对所述硅层的所述注入区进行退火，以形成掺杂多晶硅发射极区。

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