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一种以真空溅镀法制作多层陶瓷电容器的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410049785.8
  • IPC分类号:H01G4/12;H01G4/30;H01G4/005;H01G13/00;C23C14/34
  • 申请日期:
    2004-06-29
  • 申请人:
    王蕾雅
著录项信息
专利名称一种以真空溅镀法制作多层陶瓷电容器的方法
申请号CN200410049785.8申请日期2004-06-29
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-01-04公开/公告号CN1716473
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G4/12IPC分类号H;0;1;G;4;/;1;2;;;H;0;1;G;4;/;3;0;;;H;0;1;G;4;/;0;0;5;;;H;0;1;G;1;3;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人王蕾雅申请人地址
中国台湾桃园县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人王蕾雅当前权利人王蕾雅
发明人王蕾雅
代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司代理人孙皓晨
摘要
一种以真空溅镀法制作介电陶瓷层及内部电极层的多层陶瓷电容器制法,其介电陶瓷层及内部电极层以真空溅镀方式制作,使多层陶瓷电容器组件制作致密性极佳且厚度介于1~5μm的介电陶瓷层及0.1~0.5μm的内部电极层。与传统以刮刀-干式工艺或淋膜-湿式工艺制作的、同体积及同耐压等级的多层陶瓷电容器对比,层数提高,电容量提高;与传统的同容量及同工作电压等级的多层陶瓷电容器对比,总层数相对降低,制造成本降低,其内部电极层致密性极佳且薄,令整个多层陶瓷电容器组件体积缩小,符合大容量小型化的多层陶瓷电容器组件使用需求。

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